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光刻机光学系统工程师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.光刻机分辨率公式\(R=k\lambda/NA\)中，\(k\)表示______。

2.EUV光刻机采用的波长约为______nm。

3.浸没式光刻机通过填充______液体提高数值孔径（NA）。

4.投影物镜需校正的核心像差包括球差、彗差和______。

5.深紫外（DUV）光刻机常用波长为193nm和______nm。

6.接触式光刻中，掩模与晶圆的距离约为______微米。

7.光刻机对准系统的核心目的是______。

8.相移掩模（PSM）的主要作用是减小______效应。

9.投影物镜焦深公式\(DOF=\pm\lambda/(2NA^2)\)中，\(\lambda\)表示______。

10.EUV光刻机采用______式物镜（透射/反射）。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.下列波长最短的光刻机是？

A.DUV（248nm）B.EUV（13.5nm）C.ArF（193nm）D.i线（365nm）

2.NA增大时，光刻机分辨率会？

A.提高B.降低C.不变D.不确定

3.浸没式光刻机NA1的原因是？

A.波长减小B.液体折射率1C.物镜口径大D.曝光时间短

4.EUV光刻机的光学材料核心是？

A.石英B.氟化钙C.Mo/Si多层膜D.玻璃

5.对分辨率影响最大的像差是？

A.球差B.畸变C