CN103779408B 基于耗尽型槽栅AlGaNGaN HEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103779408B公告日2016.08.17

(21)申请号201410025538.8

(22)申请日2014.01.20

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉张进成郝跃

(56)对比文件

CN101410985A,2009.04.15,

US2005/0161761A1,2005.07.28,CN101414629A,2009.04.22,

审查员李水丽

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理

有限公司11385代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

绝缘层钝化膜建化物加厚电核Gas基于耗尽型槽栅AlGaN

绝缘层钝化膜建化物加厚电核

Gas

(57)摘要

CN103779408B本发明公开了一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前A1GaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征A1GaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成槽栅、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上(栅漏区域以及栅源区域间),形成硅化物(NiSi,TiSi2等等)。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高，工艺重复性和可控性高的优点，可用于低导通电阻高工作频率的耗尽型AlGaN/

CN103779408B

CN103779408B权利要求书1/2页

2

1.一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征A1GaN层、A1GaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物；所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长耗尽型A1GaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成源电极和漏电极，在源电极与漏电极之间刻蚀异质结材料形成凹槽，在凹槽内形成栅电极，然后淀积一层绝缘层，绝缘层分别位于栅电极与漏电极之间和栅电极与源电极之间，绝缘层的厚度为5-10nm,在绝缘层上的栅漏电极之间的区域以及栅源电极之间的区域，形成硅化物，硅化物为块状，并且引入应力，块间距小于块宽度，硅化物会对下面各层产生压应力，块之间将会产生向块的应力，通过使块间距小于块宽度，可以使下面各层获得总体张应力，从而使沟道中电场得到增强，所述的硅化物包括NiSi,TiSi?或Co?Si,最后淀积钝化层实现器件的钝化。

2.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其中的衬底的材料是蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其中的AlGaN中A1与Ga的组份可以调节，AlxGa1-xN中x=0～1。

4.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其本征GaN层替换为AlGaN层，而该AlGaN中A1的组份小于本征AlGaN层和AlGaN掺杂层中的A1组份。

5.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其栅极采用槽栅结构。

6.基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)对外延生长的AlGaN/GaN材料进行有机清洗，用流动的去离子