SiC功率器件衬底抛光工艺参数优化项目可行性研究报告.docx

SiC功率器件衬底抛光工艺参数优化项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

本项目名称为SiC功率器件衬底抛光工艺参数优化项目，由锐晶半导体材料（江苏）有限公司投资建设，属于新建项目。项目选址位于江苏省无锡市江阴高新技术产业开发区半导体材料产业园，该区域产业集聚效应显著，配套设施完善，交通便捷，能为项目实施提供良好环境。

项目总投资估算为38650.50万元，分两期建设。一期工程投资23190.30万元，其中土建工程8960.20万元，设备及安装投资7850.50万元，土地费用1200万元，其他费用1580.60万元，预备费899万元，铺底流动资金2700万元；二期工程投资15460.20