年产7万颗高性能光通信光芯片研发项目可行性研究报告.docx

年产7万颗高性能光通信光芯片研发项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称：年产7万颗高性能光通信光芯片研发项目

项目建设性质：该项目属于新建高新技术产业项目，主要从事高性能光通信光芯片的研发、设计、中试及规模化生产业务。

项目占地及用地指标：该项目规划总用地面积36000平方米（折合约54亩），建筑物基底占地面积25200平方米；项目规划总建筑面积43200平方米，绿化面积2376平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积7200平方米；土地综合利用面积34776平方米，土地综合利用率96.6%。

项目建设地点：该项目计划选址位于湖北省武汉市东湖新技术开发区。武汉东