《GBT+43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZD.pdfVIP

《GBT+43894.1-2024半导体晶片近边缘几何形态评

价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》巩固测

试试卷

一、单选题(共15题，每题2分，共30分)

1.GB/T43894.1-2024标准主要描述了一种利用（）来评价半导体晶片近边缘

几何形态的方法。

A.原子力显微镜

B.高度径向二阶导数法(ZDD)

C.边缘卷曲法(ROA)

D.圆形投影法

2.根据标准，高度数据阵列可以来源于晶片的（）。

A.仅上表面高度或仅厚度

B.仅单一表面（正表面或背表面）的高度或晶片厚度

C.必须同时包含正表面和背表面高度

D.仅可通过光学干涉法测得

3.标准中定义的“近边缘曲率”（near-edgecurvature）是指使用晶片高度数

据获得垂直于硅片（）的一系列Z坐标的径向二阶导数所描述的参数。

A.基平面

B.外延层

C.中位面

D.参考面

4.根据标准，近边缘曲率的计算方法是通过计算（）方向的二阶导数得到的。

A.直径

B.径向

C.切向

D.轴向

5.标准中建议的典型试验条件是环境温度为（）。

A.(20±1)℃

B.(23±3)℃

C.(25±