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离子注入工艺辅助技师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.离子注入常用离子源类型包括______、Freeman源等。

2.离子注入能量的常用单位是______。

3.离子注入掺杂类型主要有N型和______型。

4.离子注入剂量的单位通常为______（原子数/平方厘米）。

5.注入离子在半导体中的分布常用______分布描述。

6.离子注入设备中，______用于筛选特定质量/电荷比的离子。

7.注入过程中，______可减少沟道效应。

8.离子注入工艺参数包括能量、剂量和______。

9.硅片中硼离子注入形成______型掺杂层。

10.离子注入后______处理可修复晶格损伤并激活掺杂剂。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.直接影响注入离子深度的参数是（）

A.剂量B.能量C.束流D.时间

2.束流不稳定最可能的故障部件是（）

A.质量分析器B.离子源C.真空系统D.扫描系统

3.常用于N型掺杂的离子是（）

A.BB.PC.AsD.In

4.影响注入均匀性的主要因素是（）

A.真空度B.离子源温度C.扫描均匀性D.退火温度

5.离子注入设备防护重点是（）

A.高压电击B.化学污染C.辐射D.机械伤害

6.预非晶化的主要作用是（）

A.增加深度B.减少沟道效应C.提高剂量D.降低能量

7.表示离子注入剂量的单位是（）

A.mAB.keVC.cm?2D