南京工业大学模拟电子技术综合复习题有答案资料.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约4.63万字
  • 约 49页
  • 2026-03-17 发布于福建
  • 举报

南京工业大学模拟电子技术综合复习题有答案资料.pdf

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)

一、选择题

1、在本征半导体中掺入微量的D价元素,形成N型半导

体。

A.二B.三C.四D.五

2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素,变成为P

型半导体。

A.二B.三C.四D.五

3、在本征半导体中,自由电子浓度B空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于

4、在P型半导体中,自由电子浓度C空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于

5、本征半导体温度升高以后,C。

A.自由电子增多,空穴数基本不变

B.空穴数增多,自由电子数基本不变

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档