2026第四代半导体材料特性研究与产业突破点报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、第四代半导体材料范畴界定与核心物理特性 6
1.1氧化镓(Ga2O3)晶体结构与能带工程 6
1.2金刚石半导体的超宽禁带与热导优势 9
1.3立方氮化硼(c-BN)与超宽禁带特性 11
1.4二维范德华半导体(如hBN、GaSe)的层间调控 14
二、基础物性与关键性能指标对比 14
2.1临界击穿场强与巴利加优值对比 14
2.2热导率与热稳定性的材料差异 17
2.3电子迁移率与饱和速度的权衡分析 21
2.4材料
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