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- 2026-03-18 发布于广东
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HFN30H03
N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS
GeneralFeatures
VDS30V,ID30AGoodstabilityanduniformitywithhighEAS
RDS(ON)14mΩ@VGS10VRDS(ON)21mΩ@VGS4.5VExcellentpackageforgoodheatdissipation
HighdensitycelldesignforultralowRdsonSpecialprocesstechnologyforhighESD
FullycharacterizedAvalanchevoltageandcurrentcapability
Application
ApplicationPowerswitchingapplicationUninterrupti
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