CN118792706B 基于原子层沉积技术的mems探针制作方法 (浙江微针半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-03-18 发布于重庆
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CN118792706B 基于原子层沉积技术的mems探针制作方法 (浙江微针半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118792706B

(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202411287748.4C23C16/04(2006.01)

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