CN118763506B 一种增强型级联耦合激光芯片及制备方法 (北京工业大学).pdfVIP

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  • 2026-03-18 发布于重庆
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CN118763506B 一种增强型级联耦合激光芯片及制备方法 (北京工业大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118763506B

(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202410905847.8H01S5/065(2006.01)

(22)申请日2024.07

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