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集成电路复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在PN结中，空间电荷区的主要作用是（）

A.提供导电通道B.形成耗尽层C.增强电场强度D.降低载流子浓度

2.MOSFET的阈值电压主要受以下哪些因素影响？（）

A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.温度D.沟道长度

3.集成电路制造中，光刻工艺的主要目的是（）

A.形成晶体管结构B.定义图形转移C.清洗晶圆表面D.沉积金属层

4.以下哪些是CMOS电路的特点？（）

A.静态功耗低B.抗干扰能力强C.速度较快D.功耗与开关频率无关

5.双极型晶体管（BJT）的电流放大系数β主要取决于（）

A.基区宽度B.发射区掺杂浓度C.集电区掺杂浓度D.工作温度

6.集成电路中的隔离技术主要有（）

A.PN结隔离B.LOCOS隔离C.STI隔离D.硅外延层隔离

7.以下哪些是深亚微米工艺面临的挑战？（）

A.短沟道效应B.漏致势垒降低DIBLC.量子隧穿效应D.热载流子效应

8.CMOS反相器的静态工作点通常设置在（）