CN104037221A 一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaNGaN HEMT器件结构及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104037221A

(43)申请公布日2014.09.10

(21)申请号201410312712.7

(22)申请日2014.07.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/51(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种基于极化效应的复合场板高性能A1GaN/GaNHEMT器件结构及制作方法

(57)摘要

CN104037221A源极O粉电极漏极钝化层Tro介五①④000有机范缘县9L钝化层AlGaN掺杂层AIGaN本征层三三三三三三三名三三三会三三-GaN沟道层AIN隔离层GaN缓冲层衬底本发明公开了一种基于极化效应的复合场板高性能A1GaN/GaNHEMT器件结构及其