CN104037216B 一种基于偶极层的高压AlGaNGaN MISHEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104037216B公告日2016.11.16

(21)申请号201410311885.7

(22)申请日2014.07.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104037216A

(43)申请公布日2014.09.10

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/51(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN102460710A,2012.05.16,

US2011/0088456A1,2011.04.21,CN102714219A,2012.10.03,

CN103872120A,2014.0