2025长鑫存储生产岗在线考核历年真题及答案汇总.docVIP

2025长鑫存储生产岗在线考核历年真题及答案汇总

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在半导体制造中，用于去除光刻胶的常用湿法化学品是

A.氢氟酸B.硫酸+过氧化氢C.磷酸D.硝酸

2.12英寸晶圆相比8英寸晶圆，单位芯片成本理论上可下降约

A.10%B.20%C.30%D.40%

3.DRAM单元电容介质由高k材料HfO?替代SiO?的主要目的是

A.降低漏电流B.提高介电常数保持电容值C.减少工艺步骤D.降低缺陷密度

4.在CMP工艺中，研磨液中氧化剂的主要作用是

A.机械研磨B.化学氧化形成软化层C.冷却D.调节pH

5.长鑫存储目前量产的1XnmDRAM节点，其最小半节距约为

A.18nmB.15nmC.13nmD.10nm

6.晶圆厂ISO14644-1标准中，Class1000表示每立方英尺≥0.5μm颗粒数不超过

A.10B.100C.1000D.10000

7.在EUV光刻中，主要使用的曝光波长为

A.193nmB.248nmC.13.5nmD.365nm

8.下列哪种气体常用于DRAM电容高深宽比蚀刻的侧壁钝化

A.CF?B.Cl?C.O?D.