CN115868002A 高纵横比3d nand架构中的钨字线填充 (朗姆研究公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约3.26万字
  • 约 57页
  • 2026-03-19 发布于重庆
  • 举报

CN115868002A 高纵横比3d nand架构中的钨字线填充 (朗姆研究公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115868002A(43)申请公布日2023.03.28

(21)申请号202280005328.5

(22)申请日2022.05.19

(30)优先权数据

63/191,7142021.05.21US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2022.12.29

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2022/0300532022.05.19

(87)PCT国际申请的公布数据

W02022/246076EN2022.11.24

(

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档