原子层沉积（ALD）技术精准调控非贵金属-半导体复合光催化剂：结构与载流子分离性能的深度探索.docxVIP

原子层沉积（ALD）技术精准调控非贵金属-半导体复合光催化剂：结构与载流子分离性能的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今全球面临能源短缺和环境污染双重挑战的背景下，开发高效、可持续的能源转换和环境治理技术成为科学界和工业界共同关注的焦点。光催化技术作为一种绿色、清洁的技术，能够利用太阳能驱动一系列化学反应，如光解水制氢、二氧化碳还原以及有机污染物降解等，为解决能源和环境问题提供了极具潜力的解决方案。在光催化领域，光催化剂的性能直接决定了光催化反应的效率和应用前景。非贵金属-半导体复合光催化剂因其成本低、催化活性较高等优点，成为了光催化领域的研究热点之一。

半导体材料是光催化反应的核心，其独特的能带结构使得在光照下能够产生电子-空穴对，进而引发氧化还原反应。然而，传统的半导体光催化剂存在一些固有缺陷，如光生载流子复合率高、太阳光利用率低等，严重限制了其光催化性能的提升。为了克服这些问题，将非贵金属引入半导体体系形成复合光催化剂成为了一种有效的策略。非贵金属的加入可以通过多种方式改善半导体的光催化性能，例如调节半导体的能带结构，拓宽其光吸收范围；作为电子捕获中心，促进光生载流子的分离，抑制复合，从而提高光催化反应的效率。

原子层沉积（ALD）技术作为一种先进的薄膜制备技术，近年来在材料科学领域得到了广泛的应用和深入的研究。ALD技术的最大特点是能够在原子尺度上精