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半导体刻蚀腔体项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称：半导体刻蚀腔体项目

项目建设性质：本项目属于新建工业项目，专注于半导体刻蚀腔体的研发、生产与销售，旨在填补国内高端半导体刻蚀腔体国产化缺口，推动半导体装备核心部件自主可控发展。

项目占地及用地指标：项目规划总用地面积52000.50平方米（折合约78.00亩），建筑物基底占地面积37440.36平方米；规划总建筑面积61360.60平方米，其中主体生产车间面积42800.20平方米，研发及辅助设施面积8600.40平方米，办公用房5200.30平方米，职工宿舍及配套生活用房4759.70平方米；绿化面积