1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 工业设计

CN114582978B Sgt mosfet器件及制造方法 （南通尚阳通集成电路有限公司）.docxVIP

  • 1
  • 0
  • 约2.17万字
  • 约 40页
  • 2026-03-22 发布于山西
  • 举报

CN114582978B Sgt mosfet器件及制造方法 （南通尚阳通集成电路有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN114582978B

    (45)授权公告日2025.06.20

    (21)申请号202011369370.4

    (22)申请日2020.11.30

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114582978A

    (43)申请公布日2022.06.03

    (73)专利权人南通尚阳通集成电路有限公司地址226000江苏省南通市崇川区崇川路

    79号国际青创园1号楼18层

    (72)发明人曾大杰

    (74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211

    专利代理师郭四华

    (51)Int.Cl.

    H10D3

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >