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CN109065553B 金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

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  • 2026-03-23 发布于山西
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CN109065553B 金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 （株式会社半导体能源研究所）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN109065553B

    (45)授权公告日2025.07.01

    (21)申请号201810945034.6

    (22)申请日2013.10.30

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109065553A

    (43)申请公布日2018.12.21

    (30)优先权数据

    2012-2459922012.11.08JP

    2013-0162422013.01.30JP

    2013-0567682013.03.19JP

    (62)分案原申请数据

    201380058422.82013.10.30

    (73)专利权

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