1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子电气自动化

T_CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法.docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.05万字
  • 约 20页
  • 2026-03-23 发布于河北
  • 举报

T_CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法.docx

    ICS31.080

    CCSL40/49

    团体标准

    T/CASAS043—2024

    碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）高温反偏试验方法

    Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

    semiconductor

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >