CN114758940B 离子植入系统及其方法 （瓦里安半导体设备公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114758940B

(45)授权公告日2025.06.17

(21)申请号202210419772.3

(22)申请日2018.03.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114758940A

(43)申请公布日2022.07.15

(30)优先权数据

15/463,4732017.03.20US

(62)分案原申请数据

201880018810.62018.03.12

(73)专利权人瓦里安半导体设备公司

地址美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮递区号:01930)

(72)发明