CN119907320A 背入射雪崩光电探测器及其制作方法 (上海新微半导体有限公司).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.49万字
  • 约 12页
  • 2026-03-23 发布于重庆
  • 举报

CN119907320A 背入射雪崩光电探测器及其制作方法 (上海新微半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119907320A

(43)申请公布日2025.04.29

(21)申请号202510109135.XH10F71/00(2025.01)

(22)申请日2025.01.23

(71)申请人上海新微半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区临港新片区飞渡路

2020号

(72)发明人谢宗恒谢拾玉

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙)31237

专利代理师曹廷廷

(51)Int.Cl.

H10F30/225(2025.01)

H10F77/30(2025.01

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档