工艺技术测试面试宝典与参考答案.docxVIP

第PAGE页共NUMPAGES页

2026年工艺技术测试面试宝典与参考答案

一、单选题（每题2分，共20题）

背景：针对半导体行业（中国大陆）的先进封装工艺技术。

1.在扇出型封装（Fan-Out）中，以下哪种技术最适合实现高密度互连？

A.等离子体激活键合

B.基板键合（SubstrateBonding）

C.堆叠封装（Stacking）

D.3D立体互连（3DInterconnection）

答案：D

解析：3D立体互连通过垂直堆叠芯片和硅通孔（TSV）实现高密度布线，是扇出型封装的核心技术。

2.以下哪种工艺主要用于改善芯片在氮化硅（SiN）介质中的键合强度？

A.激光键合（LaserWelding）

B.化学机械抛光（CMP）

C.蒸发沉积（EvaporationDeposition）

D.氮化硅热氧化（SiNThermalOxidation）

答案：A

解析：激光键合通过高能光束激活界面原子，显著提升键合强度，常用于SiN基板上芯片的固定。

3.在先进封装中，以下哪种技术能显著降低信号传输延迟？

A.等离子体蚀刻（PlasmaEtching）

B.电镀铜（ElectroplatingCopper）

C.深紫外光刻（DUVLithography）

D.硅通孔（TSV）技术

答案：D

解析：TSV通过垂直微