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微电子概论习题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题1分，共30分）

1.本征半导体中，载流子的主要来源是（）

A.施主杂质

B.受主杂质

C.热激发

D.晶格缺陷

2.P型半导体的多数载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.施主离子

D.受主离子

3.PN结正向偏置时，空间电荷区的宽度（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.随电压随机变化

4.MOSFET的沟道长度L减小时，其跨导gm（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.可能增大或减小

5.光刻工艺中，用于将掩模版图形转移到硅片上的关键步骤是（）

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

6.集成电路制造中，离子注入工艺的主要目的是（）

A.形成氧化层

B.控制掺杂浓度

C.沉积金属层

D.光刻图形

7.CMOS电路中，PMOS和NMOS的连接方式是（）

A.串联

B.并联

C.互补

D.独立

8.半导体器件中，雪崩击穿的主要原因是（）

A.热激发

B.强电场加速载流子

C.杂质浓度突变

D.表面态

9.集