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CN113964041B 一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

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  • 2026-03-25 发布于山西
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CN113964041B 一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN113964041B

    (45)授权公告日2025.07.04

    (21)申请号202111069074.7

    (22)申请日2021.09.13

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113964041A

    (43)申请公布日2022.01.21

    (73)专利权人西安电子科技大学

    地址710000陕西省西安市雁塔区太白南

    路2号

    (72)发明人马晓华何云龙郑雪峰陆小力张方洪悦华王晔郝跃

    (74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

    专利

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