CN115458656B p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法 (吉林大学).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.56万字
  • 约 10页
  • 2026-03-25 发布于重庆
  • 举报

CN115458656B p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法 (吉林大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115458656B

(45)授权公告日2025.01.17

(21)申请号202211245699.9H10H20/01(2025.01)

(22)申请

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档