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探秘GST相变材料：微结构与电学性质的深度关联

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，数据存储与处理的需求呈指数级增长，对存储材料和器件的性能提出了更高要求。相变材料作为一种具有独特物理性质的材料，在存储、光电器件等领域展现出巨大的应用潜力，成为了材料科学与工程领域的研究热点之一。其中，GST（Ge-Sb-Te）相变材料因其卓越的性能，在众多相变材料中脱颖而出，受到了广泛的关注和深入的研究。

GST相变材料属于硫系化合物，主要由锗（Ge）、锑（Sb）和碲（Te）三种元素组成。其独特之处在于能够在外界热、电或光等激励作用下，实现晶态和非晶态之间的快速可逆转变。这种相态转变伴