CN115050813B 一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法 (电子科技大学).docxVIP

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  • 2026-03-26 发布于山西
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CN115050813B 一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法 (电子科技大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115050813B

(45)授权公告日2025.05.23

(21)申请号202210829590.3

(22)申请日2022.07.15

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115050813A

(43)申请公布日2022.09.13

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新西区西源

大道2006号

(72)发明人魏杰赵智家邓思宇杨可萌郗路凡孙涛廖德尊张成

贾艳江罗小蓉

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

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