纳秒脉冲激光制备硅量子点发光的退火效应.pdfVIP

纳秒脉冲激光制备硅量子点发光的退火效

应

硅资源在自然界分布广泛、价格低、性质稳定、无毒，是目前

人类使用最为广泛的材料之一。利用硅材料制备高质量的硅基发光器

件成为光电集成技术的关键，获得高量子效率的硅基光源对计算机、

通讯、显示乃至整个信息技术领域来说均具有重要意义Li］o

由于硅材料是半导体材料，其间接带隙结构限制了其发光效率，不易

作为高效发光的材料，因此开发一种有效的硅基发光器件也成为了瓶

颈问题。1990年，Canham2［］在室温下制备多孔硅的实验中，证明

了其在可见光波段有光致发光现象，之后研究人员相继提出各种模型

来解释纳米硅的光致发光现象［3-8］因此，获取高量子效率的硅基

o

光源就成为人们的下一步研究重点。

2022年，加州理工学院的Walters等人瓶备的氧化硅薄膜在750nm

处得到59%的内量子效率(PL-IQE),并且研究了量子效率随纳米晶

体尺寸改变的变化趋势9［］。同年，美国的Negro等人通过等离子体

增强化学气相沉积和热退火制备的氮化硅薄膜获