共溅射法制备Zn₁₋ₓCrₓO薄膜及其磁性的深度剖析与研究.docxVIP

共溅射法制备Zn???Cr?O薄膜及其磁性的深度剖析与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对新型半导体材料的需求日益增长。稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）作为一种将半导体特性与磁性相结合的新型功能材料，在自旋电子学领域展现出巨大的应用潜力，成为了材料科学研究的热点之一。稀磁半导体不仅具备传统半导体的电学和光学特性，还引入了磁性，这使得其在数据存储、逻辑运算、传感器等领域有着广泛的应用前景，如可用于制造非易失性存储器、自旋场效应晶体管、磁传感器等。

ZnO作为一种典型的宽禁带半导体材料，具有3.37eV的禁带宽度和高达60meV的激子束缚能，在室温下能实现高效率的激子发射，在光电器件领域，如发光二极管、激光二极管、紫外探测器等，有着广泛的应用。ZnO还具有良好的压电性、催化性和生物兼容性，在传感器、催化剂和生物医学等领域也展现出巨大的应用潜力。将磁性元素引入ZnO中形成ZnO基稀磁半导体，不仅可以利用ZnO本身优良的半导体特性，还能赋予其磁性，为制备多功能集成器件提供了可能。

在众多的ZnO基稀磁半导体体系中，Zn???Cr?O薄膜由于Cr元素的引入，展现出独特的物理性质。Cr是一种过渡金属元素，具有多个未成对电子，其3d电子的自旋特性使得Zn???Cr?O薄