CN115207177B 发光二极管外延片及其制备方法 (江西兆驰半导体有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-28 发布于山西
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CN115207177B 发光二极管外延片及其制备方法 (江西兆驰半导体有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115207177B

(45)授权公告日2025.05.09

(21)申请号202210982925.5

(22)申请日2022.08.16

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115207177A

(43)申请公布日2022.10.18

(73)专利权人江西兆驰半导体有限公司

地址330096江西省南昌市南昌高新技术

产业开发区天祥北大道1717号

(72)发明人张彩霞印从飞程金连胡加辉金从龙

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201

专利

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