CN119562564A 超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 （深圳天狼芯半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119562564A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202510115048.5

(22)申请日2025.01.24

(71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司

地址518063广东省深圳市南山区粤海街

道高新区社区科技南路18号深圳湾科

技生态园12栋裙楼904-905

(72)发明人张国政

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师马簪

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)