数字电子技术 第九章:半导体存储器和可编程逻辑器件-习题答案.pdfVIP

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  • 2026-03-28 发布于河北
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数字电子技术 第九章:半导体存储器和可编程逻辑器件-习题答案.pdf

习题9

题9-1储容量是1024MX16位的RAM模块,最低位地址码是零,分析采用地址码分

时输入和不采用分时输入两种形式时,最高位地址码是多?

解:I024MXI6位的RAM模块,若采用地址码(存储单元1024M,即230个)分时输

入,地址线为15根,将行地址码和列地址码分开,地址码一共有15位,则最高位地址码

7FFFM。

若不采用地址码分时输入,地址线为30根,将行地址和列地址合为一个地址码,地址

码为30位,则最高位地址码3FFEFFFF中).

题9-2试用的四片256MX16位的SRAM芯片,并选用合适的译码器组成最大存储容量

为1024MX16位的RAM存储器。

解:将四片256Mxi6位的SRAM芯片(地址线28根,数据线16根)进行存储容量的

扩展,选用2-4线集成译码器74LS139

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