2025-2026学年高二物理第一次月考卷(解析版)(上海专用).docxVIP

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2025-2026学年高二物理第一次月考卷(解析版)(上海专用).docx

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2025-2026学年高二物理下学期第一次月考卷

全解全析

磁传感器是根据霍尔效应用半导体材料制成霍尔元件,它可以用来测量磁感应强度。

1.如图,在“用DIS研究通电螺线管的磁感应强度”的实验中,通电前对磁传感器调零后。当把磁传感器的探测头从的正中间(设为)逐渐拉出螺线管过程中,测量通电螺线管轴线上各点的磁感应强度并绘出图,则最符合实际的图像是()

A. B.

C. D.

2.若将通电螺线管内部的磁场近似看作匀强磁场,磁感应强度为,已知螺线管长度为、匝数为、横截面积为,则穿过通电螺线管的磁通量为。

3.如图所示,磁传感器中霍尔元件的主要部分由一块边长为、厚度为的正方形半导体薄片构成,和、和是相互两两正对的面。半导体薄片水平放置并通以从到的电流后,施加磁感应强度为的竖向上的匀强磁场。

(1)已知该半导体薄片的自由电荷是电子,则电子()

A.在安培力作用下向侧积聚????B.在洛伦兹力作用下向侧积聚

C.在安培力作用下向侧积聚????D.在洛伦兹力作用下向侧积聚

(2)若电子沿方向的定向移动速率为,电子电荷量为,则稳定后的上正对两点间的电势差。

(3)若仅稍微改变磁感应强度的方向与电流方向的夹角,则的绝对值将。(选:A.增大、B.不变、C.减小),理由为:

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