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CN113957532B 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法 （硅晶体有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-01 发布于山西
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CN113957532B 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法 （硅晶体有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN113957532B

    (45)授权公告日2025.07.15

    (21)申请号202110826438.5

    (22)申请日2021.07.21

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113957532A

    (43)申请公布日2022.01.21

    (30)优先权数据12020.07.21EP

    (73)专利权人硅晶体有限公司地址德国纽伦堡

    (72)发明人迈克尔·沃格尔欧文·施密特阿恩德-迪特里希·韦伯

    拉尔夫-乌韦·巴尔茨多米尼克·巴恩斯巴赫

    (74)专利代理机构

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