CN120018552A 半导体器件及其制备方法 (湖北江城芯片中试服务有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-03 发布于重庆
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CN120018552A 半导体器件及其制备方法 (湖北江城芯片中试服务有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120018552A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510133812.1

(22)申请日2025.02.06

(71)申请人湖北江城芯片中试服务有限公司

地址430000湖北省武汉市武汉东湖新技

术开发区光谷一路227号3号楼3号(自

贸区武汉片区)

(72)发明人张羿

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有

限公司11270

专利代理师胡奋琴浦彩华

(51)Int.Cl.

H10D30/63(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

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