CN110837688A 等离子体鞘套3d-fdtd建模中总场-散射场平面波源产生方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110837688A

(43)申请公布日2020.02.25

(21)申请号201910944401.5

(22)申请日2019.09.30

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号西

安电子科技大学

(72)发明人石磊刘彦明魏海亮李小平姚博

(74)专利代理机构西安长和专利代理有限公司61227

代理人李霞

(51)Int.CI.

GO6F30/20(2020.01)

权利要求书6页说明书16页附图7页

(54)发明名称

等离子体鞘套3D-FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法

(57)摘要

CN110837688A本发明属于电磁场数值计算技术领域，公开了一种等离子体鞘套3D-FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法，包括：建立分层等离子体鞘套三维总场/散射(TF/SF)几何模型；构建2-D辅助传播算子，推导2-D辅助传播算子的FDTD公式以及2-D辅助传播算子的UPML-FDTD公式，分析2-D辅助传播算子的稳定性和色散性；求取TF/SF边界处的平面波场值，对TF/SF边界处的平面波