CN119584593A 一种新型屏蔽栅mosfet结构及其制备方法、芯片 (深圳天狼芯半导体有限公司).pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.03万字
  • 约 22页
  • 2026-04-07 发布于重庆
  • 举报

CN119584593A 一种新型屏蔽栅mosfet结构及其制备方法、芯片 (深圳天狼芯半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584593A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510136685.0H10D62/10(2025.01)

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司

地址518063广东省深圳市南山区粤海街

道高新区社区科技南路18号深圳湾科

技生态园12栋裙楼904-905

(72)发明人李金耀

(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理

有限公司44414

专利代理师林春梅

(51)Int.Cl.

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(202

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档