英飞凌碳化硅MOSFET AIMBG120R080M1 说明书用户手册.pdf

英飞凌碳化硅MOSFET AIMBG120R080M1 说明书用户手册.pdf

英飞凌AIMBG120R080M1MOSFET

英飞凌CoolSiC™1200VSiC沟槽MOSFET

最终数据手册

英飞凌CoolSiC™1200VSiC沟槽MOSFET:碳化硅MOSFET

特性

•Tvj=-40...200°C时VDSS=1200V

•TC=25°C时IDDC=30A

•RDS(on)=80mΩ(VGS=20V、Tvj=25°C时)

•新的性能优化芯片技术(Gen1p),改善了RDSon*A

•业界领先的开关能量特性,可

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档