英飞凌AIMBG120R080M1MOSFET
英飞凌CoolSiC™1200VSiC沟槽MOSFET
最终数据手册
英飞凌CoolSiC™1200VSiC沟槽MOSFET:碳化硅MOSFET
特性
•Tvj=-40...200°C时VDSS=1200V
•TC=25°C时IDDC=30A
•RDS(on)=80mΩ(VGS=20V、Tvj=25°C时)
•新的性能优化芯片技术(Gen1p),改善了RDSon*A
•业界领先的开关能量特性,可
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