CN119571450A 一种MOCVD反应室及其ceiling水平调节方法 （武汉锐晶激光芯片技术有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119571450A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510139483.1

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人武汉锐晶激光芯片技术有限公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区科技三路99号（自贸区武汉片区）

(72)发明人邱旋胡维陈恳孙同享

(74)专利代理机构武汉红观专利代理事务所

(普通合伙)42247

专利代理师黄鑫

(51)Int.Cl.

C30B25/08(2006.01)

C30B25/16(2006.01)

权利要求书2页说明书5页