Micro-LED巨量转移工艺仿真与良率提升策略研究.docxVIP

PAGE

PAGE1

Micro-LED巨量转移工艺仿真与良率提升策略研究

第一章绪论

1.1设计背景与问题分析

1.1.1领域发展现状

Micro-LED显示技术被誉为下一代显示技术的“圣杯”，凭借其高亮度、高对比度、低功耗、长寿命以及快速响应时间等卓越特性，在增强现实（AR）、虚拟现实（VR）、智能手表及大尺寸电视等领域展现出巨大的应用潜力。当前，显示产业正处于从液晶显示（LCD）和有机发光二极管（OLED）向Micro-LED转型的关键时期，全球主要显示厂商与科研机构纷纷布局相关专利与产线。然而，尽管外延片生长技术及芯片制备工艺已相对成熟，但制约Micro-LED产业化进程的核心瓶颈已从芯片制造转移至巨量转移环节，即如何将数以百万甚至数亿颗微米级LED芯片高效、精准地从生长衬底转移至驱动背板上。

随着芯片尺寸缩小至50μm以下，传统的拾取-放置工艺因精度不足且效率低下，已无法满足Micro-LED量产需求。目前，业界主流的巨量转移技术包括弹性凸点转印、流体组装、激光转移等多种路线，其中激光剥离与键合技术因其非接触、高速度及高精度的优势被视为最具前景的解决方案之一。然而，该技术仍处于研发向中试过渡的阶段，面临着转移良率不稳定、芯片损伤机理复杂以及工艺窗口狭窄等严峻挑战，亟需通过深入的理论研究与工艺仿真来优化工艺参数，突破产业化壁垒。

1.1.2领域面临的关键