CN119993923A 一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构及其加工方法 （南开大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119993923A

(43)申请公布日2025.05.13

(21)申请号202510142652.7

(22)申请日2025.02.10

(71)申请人南开大学

地址300071天津市南开区卫津路94号

(72)发明人宫业辉罗锋

(74)专利代理机构天津市北洋有限责任专利代

理事务所12201

专利代理师张建中

(51)Int.Cl.

H01L23/31(2006.01)

H01L23/29(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称