原创力文档英飞凌IPB110N20N3LF功率晶体管
英飞凌MOSFET功率晶体管
英飞凌IPB110N20N3LFOptiMOSTM3200V线性场效应晶体管
特性
•非常适合热插拔和电子保险丝应用
•极低的导通电阻RDS(on)
•宽范围安全工作区（SOA）
•N沟道，正常电平
•100%雪崩测试
•无铅镀层；符合RoHS标准
•符合JEDEC1)目标应用要求
•符合IEC61249-2-21标准的无卤素
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