原创力文档英飞凌IPTG111N20NM3FD功率晶体管
英飞凌MOSFET功率晶体管
英飞凌IPTG111N20NM3FDOptiMOSTM3200V功率晶体管
特性
•N沟道，标准电平
•极低的导通电阻RDS(on)
•快速二极管(FD)，Qrr降低
•工作温度175°C
•无铅镀层；符合RoHS标准
•符合IEC61249-2-21标准的无卤素
•针对硬换向进行了优化，使其更加耐用
产品验证
完全符合JEDEC
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