英飞凌AIMZHN120R120M1T汽车级碳化硅沟道MOSFET
最终数据手册
英飞凌CoolSiC™1200VSiC沟道MOSFET
特性
•Tvj=-55...175°C时VDSS=1200V
•TC=25°C时IDDC=22A
•RDS(on)=117mΩ(VGS=20V、Tvj=25°C时)
•新的性能优化芯片技术(Gen1p),改善了RDSon*AFOM
•提高了建议开启电压(VGS(on)=20V)以降低RDS(on)
•业界领
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