英飞凌碳化硅沟道MOSFETAIMZHN120R120M1T数据手册.pdf

英飞凌碳化硅沟道MOSFETAIMZHN120R120M1T数据手册.pdf

英飞凌AIMZHN120R120M1T汽车级碳化硅沟道MOSFET

最终数据手册

英飞凌CoolSiC™1200VSiC沟道MOSFET

特性

•Tvj=-55...175°C时VDSS=1200V

•TC=25°C时IDDC=22A

•RDS(on)=117mΩ(VGS=20V、Tvj=25°C时)

•新的性能优化芯片技术(Gen1p),改善了RDSon*AFOM

•提高了建议开启电压(VGS(on)=20V)以降低RDS(on)

•业界领

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档