CN116425543B 作为电介质材料的具有高储能和充放电性能的b位高熵陶瓷及制备方法 (常州大学).docxVIP

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  • 2026-04-08 发布于山西
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CN116425543B 作为电介质材料的具有高储能和充放电性能的b位高熵陶瓷及制备方法 (常州大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN116425543B

(45)授权公告日2025.05.27

(21)申请号202310405039.0

(22)申请日2023.04.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN116425543A

(43)申请公布日2023.07.14

(73)专利权人常州大学

地址213164江苏省常州市武进区滆湖中

路21号

(72)发明人陈智慧刘晴晴任玉荣邱建华朱媛媛

(74)专利代理机构常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258

专利代理师李楠

(51)Int.Cl

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