原创力文档IMZA120R040M1H
英飞凌工业用
最终数据手册
英飞凌工业用CoolSiC™1200VSiC沟槽MOSFET：采用.XT互连技术的碳化硅MOSFET
特性
•Tvj=25°C时VDSS=1200V
•TC=25°C时IDDC=55A
•RDS(on)=39mΩatVGS=18V,Tvj=25°C
•开关损耗非常低
•短路耐受时间3µs
•基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.2V
•具有抗寄生导通能力，可应用
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