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英飞凌英飞凌混合单管IGBT TRENCHSTOP 5 S5 IGBT 用户手册.pdf

英飞凌英飞凌混合单管IGBT TRENCHSTOP 5 S5 IGBT 用户手册.pdf

    英飞凌CoolSiCTM混合单管-TRENCHSTOPTM5S5IGBT

    与全额定值第六代CoolSiCTM二极管共同封装

    特性

    •VCE=650V

    •IC=50A

    TMTM

    •TRENCHSTOP5与CoolSiC技术以及开尔文发射器引脚相结合，实现超低开

    关损耗

    •导通损耗非常低

    •硬开关拓扑中的基准效率

    •即插即用，替代纯硅器件

    •优化的四引脚封装引脚布局简化了PCB设计

    •开尔文发射器和栅极引脚的间隙增大，提高了波峰焊质量

    •最高结

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