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CN119997578A 一种沟槽型碳化硅功率器件的终端结构及制备方法 （乐山希尔电子股份有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-04-09 发布于重庆
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CN119997578A 一种沟槽型碳化硅功率器件的终端结构及制备方法 （乐山希尔电子股份有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119997578A

    (43)申请公布日2025.05.13

    (21)申请号202510150736.5H10D30/01(2025.01)

    H10D30/60(2025.01)

    (22)申请日2025.02.11

    H01L21/04(2006.01)

    (71)申请人乐山希尔电子股份有限公司

    地址614000四川省乐山市高新区南新东

    路3号

    申请人江苏希尔半导体有限公司

    乐山嘉洋科技发展有限公司

    (72)发明人邓华鲜

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